美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列

美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.

美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性
无栅极
高电流低能量
发散光束 >45
可快速更换阳极模块
可选 Cathode / Neutralize 中和器

美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用
辅助镀膜 IBAD
溅镀&蒸镀 PC
表面改性、激活 SM
沉积 (DD)
离子蚀刻 LIBE
光学镀膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

例如
1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀
2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗
3. 表面处理
4. 表面硬化层镀膜
5. 磁控溅射辅助镀膜
7. 偏压离子束磁控溅射镀膜

霍尔离子源 eH 系列在售型号:

型号	eH200(停产)	eH400 eH400LE	eH1000 eH1000LE eH1000LO	eH1000xO2	eH2000 eH2000LE eH2000HO	eH3000 eH3000LO eH3000MO
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
Cathode/Neutralizer	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC HC HC	HC
电压	30-300V	50-300V 30-150V	50-300V 30-150V 50-300V	100-300V	50-300V 30-150V 50-250V	50-250V 50-300V 50-250V
电流	2A	5A 10A	10A 12A 5A	10A	10A 15A 15A	20A 10A 15A
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45	>45
气体流量	1-15sccm	2-25sccm	2-50sccm	2-50sccm	2-75sccm	5-100sccm
高度	2.0“	3.0“	4.0“	4.0“	4.0“	6.0“
直径	2.5“	3.7“	5.7“	5.7“	5.7“	9.7“
水冷	无	可选	可选	可选	是	可选

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

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上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
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