系统规格：
波长范围：350~850nm
入射角：30°~ 90°
解析度：±0.01°
待测样品尺寸：up to 200mm
精度：1200A SiO2标准片
厚度：（Tks）：±6A
折射率（N）：±0.01 at 632.8nm
重复性：1200A SiO2标准片
厚度(Tks)：±2.5A
折射率(N)：±0.005 at 632.8nm (5 times)
尺寸：140cm×50cm×60cm
应用：
太阳能电池
SiNx减反膜工艺
TiO2减反膜工艺
复合SiNx减反膜工艺
SiO2钝化工艺
复合SiNx/ SiO2减反膜工艺
SiO2掩膜工艺
TFT-LCD
SIOx，SiNx，a-Si:H，N+a-Si…
SEMI
High-k：AL2O3，SiO2，Si3N4，SiNx…
LOW-k：SiOC，SiOF，SOG，BPSG…
OLED
AlQ3，CuPc…
软件特征：
整合量测、分析、计算 操作模式安全化 同步原始数据呈现
硬件特征：
高稳定性氙灯光源
高解析度光栅式单色仪
波长范围：350~850nm
波长解析度：1nm，精度：0.5nm
三格林泰勒棱镜偏振系统
波长：260~1800nm
消化比：＞105
发散角：≤3mrad
真空吸附载物台
自动连续入射角（零度校正）
高分辨率光电倍增管探测器
波长范围：185nm~900nm
暗电流：≤25 nA
自动电压增益控制系统（Vmax：1100v）
全波长(可见光)椭偏仪